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Référence fabricant

TK4R9E15Q5,S1X

Marque nom

Original

Description

150V UMOS10-HSD TO-220 4,9 mΩ

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-220

Température de fonctionnement

175°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TK4R9E15Q5,S1X
Marque nom
Original
Description
150V UMOS10-HSD TO-220 4,9 mΩ
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220
Température de fonctionnement
175°C
Série
U-MOSX-H
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
150 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
120A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
4,9 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 2,2 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7820 pF @ 75 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
8V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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