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SCTWA90N65G2V

Marque nom

Original

Description

MOSFET de puissance en carbure de silicium 650

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247 à pattes longues

Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SCTWA90N65G2V
Marque nom
Original
Description
MOSFET de puissance en carbure de silicium 650
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247 à pattes longues
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
119A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
24 mOhms à 50 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3380 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
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