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NTH4L014N120M3P

Marque nom

Original

Description

MOSFET SiC 1200 V 14 mΩ M3P SE

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247-4L

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTH4L014N120M3P
Marque nom
Original
Description
MOSFET SiC 1200 V 14 mΩ M3P SE
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247-4L
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
127A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
20 mOhms à 74 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,63 V à 37 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
329 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6230 pF @ 800 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V, 18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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