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Référence fabricant

DMG4511SK4-13

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-252-5, DPAK (4 broches + languette), TO-252AD

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMG4511SK4-13
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-252-5, DPAK (4 broches + languette), TO-252AD
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,54 W
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
35V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
5,3 A, 5 A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
35 mOhms à 8 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 25V
Configuration
N and P-Channel, Common Drain
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
N et P-Channel, Drain commun

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vente Unités
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1X1X1 cm
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