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IRFHM8235TRPBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PQFN (3,3x3,3), Power33

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRFHM8235TRPBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PQFN (3,3x3,3), Power33
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HEXFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
25 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
16A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
7,7 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,35 V à 25 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1040 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
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