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Référence fabricant

TK11S10N1L,LQ

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 100V 11A DPAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

DPAK+

Température de fonctionnement

175°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TK11S10N1L,LQ
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
DPAK+
Température de fonctionnement
175°C
Série
U-MOSVIII-H
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
11A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
28 mOhms à 5,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 100 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

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