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Référence fabricant

MIP25R12E1TN-BP

Marque nom

Original

Description

MODULES IGBT 1200V 25A, E1

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Configuration
Inverseur Triphasé
Puissance Max
166 W
Package/Boîte
Module
Description
MODULES IGBT 1200V 25A, E1
Référence fabricant
MIP25R12E1TN-BP
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
25 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
1 mA
Type IGBT
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
1,45 nF @ 25 V
Entrée
Three Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC
Oui
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type d'IGBT
-
Configuration
Onduleur triphasé
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
25 A
Puissance - Max
166 W
Entrée
Redresseur en pont triphasé

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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