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Référence fabricant

IPD70N12S3L12ATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET canal N_100+

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO252-3-11

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPD70N12S3L12ATMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET canal N_100+
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO252-3-11
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
120 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
70A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
11,5 mOhms à 70 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,4 V à 83 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5550 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

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