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SIDR638DP-T1-GE3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerPAK SO-8DC

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SIDR638DP-T1-GE3
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerPAK SO-8DC
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET Gen IV
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
100A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
0,88 mOhm à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,3 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
10 500 pF à 20 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

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vente Unités
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