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Référence fabricant

IPC302N15N3X1SA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 150V 1A DÉCOUPE SUR FEUILLE

Point d'origine

China

Package/Boîte

Découpé sur film

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-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPC302N15N3X1SA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 150V 1A DÉCOUPE SUR FEUILLE
Point d'origine
China
Package/Boîte
Découpé sur film
Température de fonctionnement
-
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
150 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
1A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
100 mOhms à 2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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