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Référence fabricant

TK1K0A60F,S4X

Marque nom

Original

Description

TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE X35 PB-F

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-220SIS

Température de fonctionnement

150°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TK1K0A60F,S4X
Marque nom
Original
Description
TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE X35 PB-F
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220SIS
Température de fonctionnement
150°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
7,5 A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1Ohm à 3,8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 770µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF à 300 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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