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Référence fabricant

SIHW61N65EF-GE3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247AD

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SIHW61N65EF-GE3
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247AD
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
E
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
64A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
47 mOhms à 30,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
371 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7407 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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