Acheter en ligne des composants électroniques 165 LBGA CY7C1170V18-400BZC Mémoire en stock
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Attributs
SRAM - Synchrone, DDR IITechnologie
volatileType de mémoire
512Kx36Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, DDR II
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512Kx36
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Fréquence de l'horloge
400 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
18 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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CY7C1170V18 400BZC
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