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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

DS1230Y-120IND+

Type de montage

Traversant (Through Hole)

Taille de La mémoire

256Kbit

Point d'origine

China

Description

IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
DS1230Y-120IND+
Type de montage
Traversant (Through Hole)
Taille de La mémoire
256Kbit
Point d'origine
China
Description
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Type de conditionnement
Tube
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
Module 28-DIP (0,600", 15,24 mm)
Série
-
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
32K x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
120ns
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
NVSRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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