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Référence fabricant

TW123V65C,LQ

Marque nom

Original

Description

MOSFET SiC N-CH, 650 V, 0,123 Ω

Point d'origine

China

Package/Boîte

4-DFN-EP (8x8)

Température de fonctionnement

175°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TW123V65C,LQ
Marque nom
Original
Description
MOSFET SiC N-CH, 650 V, 0,123 Ω
Point d'origine
China
Package/Boîte
4-DFN-EP (8x8)
Température de fonctionnement
175°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
18A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
18V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs