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SI3134KU6-TP

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 20V 0.75A 6DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

Pastille exposée 6-XFDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI3134KU6-TP
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 20V 0.75A 6DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
Pastille exposée 6-XFDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
420 mW (Tj)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
750mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
250 mOhms à 500 mA, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,2 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
33pF à 16V
Configuration
2 N-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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