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SIZ980BDT-T1-GE3

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerWDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SIZ980BDT-T1-GE3
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerWDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET Gen IV
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
3,8 W (Ta), 20 W (Tc), 5 W (Ta), 66 W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
23,7 A (Ta), 54,8 A (Tc), 54,3 A (Ta), 197 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
4,39 mΩ à 15 A, 10 V, 1,06 mΩ à 19 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC à 10 V, 79 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
790pF à 15V, 3655pF à 15V
Configuration
2 N-Channel (Dual), Schottky
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double), Schottky

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1X1X1 cm
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