Acheter en ligne des composants électroniques AS6CE4016B-45ZIN 44 TSOP Mémoire Fabricant Canal
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Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
256Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:45 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256Kx16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
45 secondes
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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poids brut par lot
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AS6CE4016B 45ZINC
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