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Référence fabricant

FQB34N20TM-AM002

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263 (D2PAK)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FQB34N20TM-AM002
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263 (D2PAK)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
QFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
31A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
75 mOhms à 15,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

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vente Unités
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