Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDR3L
Tension D'alimentation:1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge:933 MHz
Organisation de la mémoire:256 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
