





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:2M32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle














