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Achetez en ligne des composants électroniques Mémoire 66 TSSOP EM6AC160TSA-4IG Original Service complet

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Attributs

Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:250 MHz
Organisation de la mémoire:64M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:SSTL2

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge
250 MHz
Organisation de la mémoire
64M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
SSTL2

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
1 000 - 3 999 pièce
4,03 €
>= 4 000 pièce
2,02 €

Spécification

EM6AC160TSA4IG

Expédition

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