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NC2M120C20HTNG

Marque nom

Original

Description

MOSFET SiC 1200V 20M 126A TO247

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247-4L

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NC2M120C20HTNG
Marque nom
Original
Description
MOSFET SiC 1200V 20M 126A TO247
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247-4L
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
NC2M
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1,2 kV
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
126A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
30 mOhms à 63 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 20 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
282 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4615 pF à 1 kV
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
+20V, -5V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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