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Référence fabricant

SQJ202EP-T1_GE3

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerPAK SO-8 Dual

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SQJ202EP-T1_GE3
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerPAK SO-8 Dual
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
27W, 48W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
12V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
20A, 60A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6,5 mOhms à 15 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
975pF à 6V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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0.1 kg

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