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Référence fabricant

XPJR6604PB,LXHQ

Marque nom

Original

Description

40 V ; UMOS9 ; 0,66 mΩ ; S-TOGL

Point d'origine

China

Package/Boîte

S-TOGL

Température de fonctionnement

175°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
XPJR6604PB,LXHQ
Marque nom
Original
Description
40 V ; UMOS9 ; 0,66 mΩ ; S-TOGL
Point d'origine
China
Package/Boîte
S-TOGL
Température de fonctionnement
175°C
Série
U-MOSIX-H
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
200A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
0,66 mOhm à 100 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
11380 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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