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FDS6675BZ-G

Marque nom

Original

Description

MOSFET canal P simple 30V 11A

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOIC

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FDS6675BZ-G
Marque nom
Original
Description
MOSFET canal P simple 30V 11A
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SOIC
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
PowerTrench
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
11A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
13 mOhms à 11 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2470 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±25V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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