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NXH010P120MNF1PG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 1200V 114A

Point d'origine

China

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-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NXH010P120MNF1PG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
250W (Tj)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
114A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
14 mOhms à 100 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,3 V à 40 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
454nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4707pF à 800V
Configuration
2 N-Channel (Dual) Common Source
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (double) source commune

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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