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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
EasyPACK
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
85A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
12 mOhms à 100 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,15 V à 40 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
297nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8800pF à 800V
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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