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IMZ120R045M1XKSA1

Marque nom

Original

Description

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO247-4-1

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IMZ120R045M1XKSA1
Marque nom
Original
Description
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO247-4-1
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
CoolSiC
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
Détection de courant
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
52A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
59 mOhms à 20 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,7 V à 10 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF à 800 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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