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Référence fabricant

G3F25MT06L-TR

Marque nom

Original

Description

MOSFET SIC TO-LL G3F 650V 20M

Point d'origine

China

Package/Boîte

TOLL

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
G3F25MT06L-TR
Marque nom
Original
Description
MOSFET SIC TO-LL G3F 650V 20M
Point d'origine
China
Package/Boîte
TOLL
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
125A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
27,5 mOhms à 35 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,3 V à 15 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2939 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V, 18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiC (Transistor à jonction en carbure de silicium)

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vente Unités
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