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Référence fabricant

E3M0160120J2-TR

Marque nom

Original

Description

FET SiC 1200V, 160 mΩ, TO-263-7 XL

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263-7

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
E3M0160120J2-TR
Marque nom
Original
Description
FET SiC 1200V, 160 mΩ, TO-263-7 XL
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263-7
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
E
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
18A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
208 mOhms à 8,5 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,8 V à 2,33 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF à 1 000 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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