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C3M0015065K Carbure de silicium de module MOSFET SiC à ultra-faible perte avec produit de transistors à faible résistance à l'état passant à haut rendement

Note de la boutique :4.7
(314 avis)

Attributs

C3M0015065KNuméro de Type
RF TRANSISTORType
TraversantsType de paquet
SiC MOSFET, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, IndustrielDescription
ChinaPoint d'origine
TO-247-4Package/Boîte
Température de fonctionnement:-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Série:C3M
d/c:15V
Application:Industriel
Type de Fournisseur:Agence
Médias Disponibles:Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max):55.8A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):188 nC @ 15 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:21mOhm @ 55.8A, 15V
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:3.6V @ 15.5mA
Puissance Max:416W (Tc)
Fréquence-Transition:5011 pF
Type de Support:À travers le trou
FET Type:MOSFET
FET Caractéristique:Carbure de silicium (SiC)
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Numéro de type C3M0015065K
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Numéro de type C3M0015065K
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Numéro de type C3M0015065K
Vgs (th) (Max) @ Id:Numéro de type C3M0015065K
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Numéro de type C3M0015065K
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Numéro de type C3M0015065K
Fréquence:Numéro de type C3M0015065K
Courant nominal (ampères):Numéro de type C3M0015065K
Facteur de bruit:Numéro de type C3M0015065K
Alimentation-Sortie:Numéro de type C3M0015065K
Tension Nominale:Numéro de type C3M0015065K
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Numéro de type C3M0015065K
Vgs (Max):Numéro de type C3M0015065K
Type IGBT:Numéro de type C3M0015065K
Configuration:SIMPLE
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Numéro de type C3M0015065K
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Numéro de type C3M0015065K
Entrée:Numéro de type C3M0015065K
Thermistance NTC:Numéro de type C3M0015065K
Tension-panne (V (BR) GSS):Numéro de type C3M0015065K
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Numéro de type C3M0015065K
Vidange de courant (Id)-Max:Numéro de type C3M0015065K
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Numéro de type C3M0015065K
Résistance-RDS (On):Numéro de type C3M0015065K
Tension-Sortie:Numéro de type C3M0015065K
Tension-décalage (Vt):Numéro de type C3M0015065K
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Numéro de type C3M0015065K
Courant-vallée (Iv):Numéro de type C3M0015065K
Courant-Crête:Numéro de type C3M0015065K
Transistor Type:MOSFET SiC
Type de montage:À travers le trou
Paquet/cas:TO-220-3
Série:STripFE
D/C:Le plus récent
Paiement:Paypal \ TT \ Western Union \ Commerce Assurance
Forfait:Bobine
Configuration:Unique
Nom du produit:Composant électronique d'IC de transistor
Expédition PAR:DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Service:Liste de Bom

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
C3M0015065K
Type
RF TRANSISTOR
Type de paquet
Traversants
Description
SiC MOSFET, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industriel
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247-4
Température de fonctionnement
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Série
C3M
d/c
15V
Application
Industriel
Type de Fournisseur
Agence
Médias Disponibles
Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
55.8A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
188 nC @ 15 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
21mOhm @ 55.8A, 15V
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
3.6V @ 15.5mA
Puissance Max
416W (Tc)
Fréquence-Transition
5011 pF
Type de Support
À travers le trou
FET Type
MOSFET
FET Caractéristique
Carbure de silicium (SiC)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Numéro de type C3M0015065K
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Numéro de type C3M0015065K
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Numéro de type C3M0015065K
Vgs (th) (Max) @ Id
Numéro de type C3M0015065K
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Numéro de type C3M0015065K
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Numéro de type C3M0015065K
Fréquence
Numéro de type C3M0015065K
Courant nominal (ampères)
Numéro de type C3M0015065K
Facteur de bruit
Numéro de type C3M0015065K
Alimentation-Sortie
Numéro de type C3M0015065K
Tension Nominale
Numéro de type C3M0015065K
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Numéro de type C3M0015065K
Vgs (Max)
Numéro de type C3M0015065K
Type IGBT
Numéro de type C3M0015065K
Configuration
SIMPLE
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Numéro de type C3M0015065K
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Numéro de type C3M0015065K
Entrée
Numéro de type C3M0015065K
Thermistance NTC
Numéro de type C3M0015065K
Tension-panne (V (BR) GSS)
Numéro de type C3M0015065K
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Numéro de type C3M0015065K
Vidange de courant (Id)-Max
Numéro de type C3M0015065K
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Numéro de type C3M0015065K
Résistance-RDS (On)
Numéro de type C3M0015065K
Tension-Sortie
Numéro de type C3M0015065K
Tension-décalage (Vt)
Numéro de type C3M0015065K
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Numéro de type C3M0015065K
Courant-vallée (Iv)
Numéro de type C3M0015065K
Courant-Crête
Numéro de type C3M0015065K
Transistor Type
MOSFET SiC
Type de montage
À travers le trou
Type
Transistor à effet de champ
Paquet/cas
TO-220-3
Série
STripFE
D/C
Le plus récent
Paiement
Paypal \ TT \ Western Union \ Commerce Assurance
Forfait
Bobine
Configuration
Unique
Nom du produit
Composant électronique d'IC de transistor
Expédition PAR
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Service
Liste de Bom

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
24X18X16 cm
unique poids brut
1.000 kg

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