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Composants électroniques Transistors CGD65A130S2-T13 16-DFN – Service complet d'origine

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Caractéristiques

Référence fabricant

CGD65A130S2-T13

Marque nom

Original

Description

GAN HEMT 650 V, 130 mΩ, DFN8X8.

Point d'origine

China

Package/Boîte

16-DFN (8x8)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CGD65A130S2-T13
Marque nom
Original
Description
GAN HEMT 650 V, 130 mΩ, DFN8X8.
Point d'origine
China
Package/Boîte
16-DFN (8x8)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
ICeGaN
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
-
FET Caractéristique
Détection de courant
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
12A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
182 mOhms à 900 mA, 12 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,2 V à 4,2 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2,3 nC à 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
12V
Vgs (Max)
+20V, -1V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Ruban coupé (CT)
Type de FET
-
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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