find similar
HELLOCHIP LIMITED logo
HELLOCHIP LIMITED
HK1 an
4.6/5(492)
Note de la boutique
≤7h
Temps de réponse
≥97%
Taux de livraison dans les délais
15%
Taux de réachat

Marchés principaux: États-Unis d'Amérique, Corée du Sud, Canada, Inde, Brésil

logo
-5% dès 1 800 € | -8% dès 4 400 € | -10% dès 8 700 €
arrow-logo

Composant semi-conducteur CJ2310 S10 SOT-23 MOSFET IC, puce de commutation de puissance, transistor CJ2310

Aucun avis pour l'instant
0,0695-0,1737 €
Quantité minimale : 1 pièce
Sélectionner

Spécification

CJ2310

Caractéristiques

Référence fabricant

CJ2310

Type

MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Norme

Description

Circuit intégré de commutation de puissance MOSFET SOT-23

Point d'origine

Other

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Retour facile

Effectuez des retours locaux gratuits pour les défauts sur les achats éligibles

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CJ2310
Type
MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
Norme
Description
Circuit intégré de commutation de puissance MOSFET SOT-23
Point d'origine
Original
Package/Boîte
SOT-23
Température de fonctionnement
/
Série
S10
Code date de fabrication
NEUF
Application
Norme
Type de Fournisseur
/
Référence croisée
/
Médias Disponibles
/
Collecteur de courant (Ic) (Max)
/
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
/
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
/
Courant-coupure de collecteur (Max)
/
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
/
Puissance Max
/
Fréquence-Transition
/
Résistance-socle (R1)
/
Résistance-socle émetteur (R2)
/
FET Type
/
FET Caractéristique
/
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
/
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
/
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
/
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
/
Fréquence
/
Courant nominal (ampères)
/
Facteur de bruit
/
Alimentation-Sortie
/
Tension Nominale
/
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
/
Vgs (Max)
/
Type IGBT
/
Configuration
/
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
/
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
/
Entrée
/
Thermistance NTC
/
Tension-panne (V (BR) GSS)
/
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
Vidange de courant (Id)-Max
/
Tension-coupure (VGS off) @ Id
/
Résistance-RDS (On)
/
Tension-Sortie
/
Tension-décalage (Vt)
/
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
/
Courant-vallée (Iv)
/
Courant-Crête
/
Transistor Type
/
Type de montage
/

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs