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Transistor MOSFET CSD17575Q3 canal N 30 V 60 A (Ta) 2,8 W (Ta), 108 W (Tc) SMD 8-PowerTDFN CSD17575Q3

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Quantité minimale : 1 pièce
Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

CSD17575Q3

Type

STANDARD

Marque nom

Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.

Type de paquet

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Description

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Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CSD17575Q3
Type
STANDARD
Marque nom
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Type de paquet
STANDARD
Description
STANDARD
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
STANDARD
Code date de fabrication
STANDARD
Application
STANDARD
Médias Disponibles
STANDARD
Puissance Max
2,8 W (Ta), 108W (Tc)
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
60A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,3 mOhms à 25 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,8 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4420 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
STANDARD, STANDARD

Emballage et livraison

vente Unités
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