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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
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Transistor de puissance MOSFET à canal N CSD17575Q3 QFN-8 à montage en surface, usage général

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Référence fabricant

CSD17575Q3

Type

MOSFETs

Type de paquet

Montage en Surface

Description

MOSFETs 30V canal N NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17575Q3T

Point d'origine

Other

Package/Boîte

VSON-CLIP-8

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CSD17575Q3
Type
MOSFETs
Type de paquet
Montage en Surface
Description
MOSFETs 30V canal N NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17575Q3T
Point d'origine
original
Package/Boîte
VSON-CLIP-8
Température de fonctionnement
-55℃, +150℃
Série
CSD17575Q3
Code date de fabrication
2026+
Application
Assemblage de PCB
Médias Disponibles
Fiche technique
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
30 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
182 A
Puissance Max
108 W
FET Caractéristique
Non applicable
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
108 W
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Configuration
Non applicable
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Vidange de courant (Id)-Max
standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
standard
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
standard
Tension-décalage (Vt)
standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Transistor Type
MOSFET
Type de montage
Montage en Surface

Emballage et livraison

vente Unités
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