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Transistors CSD87503Q3ET 8-PowerVDFN, composants électroniques, distributeur agréé

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Caractéristiques

Référence fabricant

CSD87503Q3ET

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerVDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CSD87503Q3ET
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerVDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
NexFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
15,6 W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
10A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
2,1 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17,4 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF à 15V
Configuration
2 N-Channel (Dual) Common Source
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double) source commune

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs