Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited

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Diode laser CWDM DFB 1270 1610 nm 5 mW 2,5 Gbit/s, boîtier TO56 avec lentille asphérique en aluminium, longueur focale 7,5 mm

Name: Diode laser CWDM DFB 1270 1610 nm 5 mW 2,5 Gbit/s, boîtier TO56 avec lentille asphérique en aluminium, longueur focale 7,5 mm
Brand: Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited
SKU: 1601716310598
Price: 23 USD
Availability: InStock

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19,95 €

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Spécification

BLD-D-2,5G-27-B-AL

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Emballage personnalisé (Quantité min. : 1 000 unités)

Personnalisation graphique (Quantité min. : 1 000 unités)

Caractéristiques

Type de montage

autre

Référence fabricant

BLD-D-2.5G-27-B-AL

Marque nom

BOX

Description

autre

Type

Autre

Point d'origine

Guangdong, China

Expédition

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Caractéristiques du produit

Type

Autre

Puissance maximale

autre

Vitesse

Qualité industrielle standard pour la production de masse

Type de paquet

Autre

Type de montage

autre

Q @ Vr, F

autre

Diode Type

Diode laser CWDM à rétroaction distribuée (DFB)

Configuration

autre

Technologie

Fabrication de lasers DFB à semi-conducteurs basés sur InP

Application

Module optique CWDM pour communication de données par fibre optique.

Type de Fournisseur

Nouveau original en stock

Description

autre

Référence fabricant

BLD-D-2.5G-27-B-AL

Marque nom

BOX

Point d'origine

Guangdong, China

Boîtier / Paquet

autre

Tension vers l'avant maximale

1,6 V (valeur nominale maximale)

Tension inverse maximale

2 V (tension inverse maximale de la puce DFB)

Courant vers l'avant maximal

150 mA (intensité maximale)

Courant renversé maximal

1 μA maximum à polarisation inverse de 2 V

Tension inverse de pointe (max.)

2 V (puissance maximale)

Courant-moyenne rectifiée (Io)

Courant de fonctionnement direct moyen de 50 mA

Diode Configuration

TO56 package AL lentille asphérique focale 7,5 mm B

Tension-inversion cc (Vr) (Max)

10 V maximum (tension inverse nominale PD du moniteur)

Temps de récupération inverse (trr)

<1 secondes

Capacité @ Vr, F

<10pF @1MHz 0V pour jonction DFB

Courant - Max

Courant direct maximum de 100 mA

Résistance @ If, F

<10Ω à 5mA de courant direct 1MHz

Dissipation de puissance (maximum)

Dissipation de puissance maximale de 300 mW

Capacité Rapport

~1,2:1 (biais 0 V vs biais -5 V)

Capacité Rapport État

Fréquence de test de 1 MHz

Impédance (Max) (Zzt)

autre

Type de produit

Photodiode PIN InGaAs / VCSEL ou diode laser DFB

Gamme de longueurs d'onde/Centre

900-1650 nm (PD) / 850 nm, 940 nm ou CWDM 1270-1610 nm (Laser)

Zone active / Zone d'émission

3 mm ou 5 mm (DP) / 12 μm (VCSEL)

Performance clé (Typ.)

Réactivité : 0,9 A/W @1310nm (PD) / Sortie : 5-10 mW (Laser)

Bande passante / Modulation

Bande passante de modulation de 2 GHz (laser VCSEL/DFB)

Température de fonctionnement

-40℃ à +85℃ (PD) / -40℃ à +70℃ Laser

Paquet

Boîtier hermétique à fenêtre plate TO-CAN (TO5/TO56)

Application principale

Surveillance de la puissance optique, communication par fibre, détection

Photodiode de surveillance

Moniteur InGaAs PD intégré (pour laser DFB)

Emballage et livraison

vente Unités

Article unique

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

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Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 1 000 unités)

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