Composants de mémoire CY15V116QI-20BKXCT 24 TBGA Fabricant de composants électroniques Canal
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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
2Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:1,71 V ~ 1,89 V
Fréquence de l'horloge:20 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2Mx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Fréquence de l'horloge
20 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,71 V ~ 1,89 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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CY15V116QI20BKXCT
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