Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR2 mobile
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
