





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Organisation de la mémoire:32Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:eMMC_5.1














