





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:90 secondes
Interface mémoire:Parallèle














