Composants électroniques 66 TSSOP AS4C32M16D1A-5TAN Mémoire Distributeur agréé
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5Chips Tech Limited
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Attributs
SDRAM-DDDRTechnologie
volatileType de mémoire
32Mx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
32Mx16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
512 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 2,7 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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