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Composants électroniques Transistors 8-PowerVDFN IPG20N06S2L50AATMA1 Originaux

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Caractéristiques

Référence fabricant

IPG20N06S2L50AATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerVDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPG20N06S2L50AATMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerVDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
51W
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
20A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
50 mOhms à 15 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 19µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
560pF à 25V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en surface, flanc mouillable
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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