Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:600 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, DTR
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
