Composants électroniques 90 TFBGA W989D2DBJX6E Mémoire Distributeur agréé
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Attributs
SDRAM - LPSDR mobileTechnologie
volatileType de mémoire
16Mx32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:LCMVOS
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPSDR mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
16Mx32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
LCMVOS
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
240 - 3 239 pièce
1,25 €
>= 3 240 pièce
0,6226 €
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W989D2DBJX6E
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