Composants électroniques CY7C1312KV18-300BZXI 165 LBGA Mémoire Originale
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Attributs
SRAM - Synchrone, QDR IITechnologie
volatileType de mémoire
1M18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau, plateau, plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:300 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, QDR II
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
1M18
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau, plateau, plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
300 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
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CY7C1312KV18300BZXI
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