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Composants électroniques DFN1006-3 SI3139KL3B-TP Transistors BOM IC en stock

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Référence fabricant

SI3139KL3B-TP

Marque nom

Original

Description

MOSFET

Point d'origine

China

Package/Boîte

DFN1006-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI3139KL3B-TP
Marque nom
Original
Description
MOSFET
Point d'origine
China
Package/Boîte
DFN1006-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
650mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
850 mOhms à 500 mA, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,4 nC @ 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
36 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,8 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±12V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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