Components Electronic Die ICPB1020-1-110I Transistors Original
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Attributs
Montage en SurfaceType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
ICPB1020-1-110INuméro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
DiePackage / Case
Description:DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
Package:Box
Technology:GaN HEMT
Configuration:-
Frequency:14GHz
Gain:7.4dB
Caractéristiques du produit
Type de montage
Montage en Surface
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
ICPB1020-1-110I
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
Die
Description
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT
Package
Box
Technology
GaN HEMT
Configuration
-
Frequency
14GHz
Gain
7.4dB
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
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100 - 3 099 pièce
1,14 €
>= 3 100 pièce
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ICPB1020-1-110I
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