Composants électroniques Die MT29F1T08EBLCHB58R3WC1-K Mémoire d'origine
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Attributs
FLASH - NANDTechnologie
-Type de mémoire
128Gx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 térabitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:En vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
-
Organisation de la mémoire
128Gx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 térabit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 3 000 pièce
16,58 €
≥ 3 001 pièce
8,29 €
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MT29F1T08EBLCHB58R3WC1K
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